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美國(guó)大學(xué)材料科學(xué)就業(yè)前景及申請(qǐng)條件最新簡(jiǎn)析

  材料科學(xué)專業(yè)是近些年來(lái)非常熱門的留學(xué)專業(yè)之一,伴隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展,各國(guó)對(duì)材料科學(xué)領(lǐng)域的研究深度與應(yīng)用程度也越來(lái)越高,因此材料科學(xué)專業(yè)人才也成為了世界各國(guó)爭(zhēng)相追捧的優(yōu)質(zhì)留學(xué)人才。美國(guó)作為世界上最為發(fā)達(dá)的資本主義國(guó)家,強(qiáng)大的科研教育實(shí)力讓其培養(yǎng)出不少該領(lǐng)域中的精英人才,因此越來(lái)越多的同學(xué)選擇美國(guó)大學(xué)材料科學(xué)留學(xué)。那么接下來(lái)我們就對(duì)美國(guó)大學(xué)材料科學(xué)就業(yè)前景及申請(qǐng)條件進(jìn)行詳細(xì)介紹,希望對(duì)大家有所幫助。

  材料科學(xué)與工程專業(yè)就業(yè)前景:

  材料科學(xué)與工程專業(yè)在就業(yè)方面可以考慮科學(xué)研究,技術(shù)開(kāi)發(fā),工藝和設(shè)備設(shè)計(jì),生產(chǎn)及經(jīng)營(yíng)管理等方面工作,就業(yè)前景很不錯(cuò)。就業(yè)比較好的方向是研究光學(xué)與光譜學(xué),液晶,聚合物二極管,光電池和光子晶體,半導(dǎo)體材料和裝置,磁存儲(chǔ)器,磁性薄膜及磁性發(fā)電機(jī)裝置,壓電晶體的表面和界面特性。主要課程有量子力學(xué),材料化學(xué),勢(shì)力學(xué)及階段均衡,結(jié)構(gòu)固定的缺點(diǎn),電子學(xué),熱力學(xué),非結(jié)晶固定,高分子物理,材料成像,電子電磁材料。這個(gè)方向比金屬材料難申請(qǐng),也是競(jìng)爭(zhēng)最激烈的方向,它和電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展有非常密切的關(guān)系,目前半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)更新非常迅速,半導(dǎo)體芯片的發(fā)展非常迅速,這個(gè)研究方向是半導(dǎo)體芯片制造的重要基礎(chǔ),因此未來(lái)的就業(yè)前景是非常樂(lè)觀的。就業(yè)可以在研究所,設(shè)計(jì)院,日化公司,汽車,電子電氣,航空航天等企業(yè)。

美國(guó)大學(xué)材料科學(xué)

  美國(guó)材料科學(xué)與工程專業(yè)申請(qǐng)解析:

  對(duì)于欲申請(qǐng)美國(guó)材料專業(yè)研究生的學(xué)生來(lái)說(shuō),如果定位是前30,又比較在乎專排的話,需要GPA至少是85,托福100+,GRE 325,另外master的項(xiàng)目中有research-based 還有course-based,如果想要申請(qǐng)偏研究的學(xué)位,則需要學(xué)生在軟背景方面做一些提升,如果學(xué)生定位是30-60,則需要學(xué)生績(jī)點(diǎn)是至少在3.0,托福和GRE可以相應(yīng)的降到95+,315+,但是在績(jī)點(diǎn)優(yōu)勢(shì)不明顯的情況下,如果兩項(xiàng)標(biāo)化成績(jī)能有所突破對(duì)后期申請(qǐng)還是很有利的。

  以上就是美國(guó)大學(xué)材料科學(xué)就業(yè)前景及申請(qǐng)條件的簡(jiǎn)要介紹,希望能對(duì)有意赴美留學(xué)的學(xué)生有所幫助。對(duì)于有意向出國(guó)留學(xué)的同學(xué),可以持續(xù)關(guān)注該方面的信息,鑒于該話題熱度較高,IDP教育集團(tuán)也會(huì)持續(xù)為大家更新此類信息,希望可以為大家提供參考使用。如有更多美國(guó)留學(xué)問(wèn)題,歡迎咨詢IDP教育留學(xué)專家。
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